| 序號(hào) | 產(chǎn)品系列 | 產(chǎn)品名稱 | 產(chǎn)品簡(jiǎn)要描述 | Tg(℃) | CTE(ppm/℃) | 模量(GPa) | Dk@10GHz | Df@10GHz |
可支持厚度范圍
PP(μm)
芯板(mm)
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| 1 | 封裝基板BT | HB20-M1 | 產(chǎn)品特性 ：BT/黑色，無鹵、高剛性、低熱膨脹系數(shù)、高耐熱性及優(yōu)異的鉆孔能力等； 封裝形式 ：CSP、BGA、WB封裝等 應(yīng)用領(lǐng)域 ：VCM、存儲(chǔ)、指紋等 | 230 | 11-13 | 28 | 4.2 | 0.007 | 20~120 | 0.03~1.6 |
| 2 | 封裝基板BT | HB20-M2 | 產(chǎn)品特性 ：BT/黑色，無鹵、較低熱膨脹系數(shù)及優(yōu)異的鉆孔能力等； 封裝形式 ：MIP、CSP、BGA、WB封裝等 應(yīng)用領(lǐng)域 ：Chip RGB、VCM、存儲(chǔ)、無芯等 | 220 | 12-14 | 25 | 4.5 | 0.012 | 20~120 | 0.03~1.6 |
| 3 | 封裝基板BT | HI10L | 產(chǎn)品特性 ：BT/黑色，無鹵、低熱膨脹系數(shù)、高可靠性（高模量保持率、耐熱可靠性）、優(yōu)異的鉆孔能力及銅箔結(jié)合力等； 封裝形式 ：WB、FC、BGA、CSP、SiP封裝等； 應(yīng)用領(lǐng)域 ：存儲(chǔ)、MEMS、PMIC、指紋、RF等 | 260 | 9-11 | 27 | 4.3 | 0.008 | 20~120 | 0.03~1.6 |
| 4 | 封裝基板BT | HI07L | 產(chǎn)品特性 ：BT/自然色，無鹵、極低熱膨脹系數(shù)、高尺寸穩(wěn)定性、高可靠性（高模量保持率、耐熱可靠性）、優(yōu)異的鉆孔能力及低的介電損耗等； 封裝形式 ：FC BGA、FC CSP等FC封裝 應(yīng)用領(lǐng)域 ：CPU、GPU、ASIC、FPGA、PMIC、RF等 | 300 | 7-9 | 32 | 4.4 | ＜0.01 | 20~120 | 0.03~1.6 |
| 5 | 封裝基板BT | HI07L(B) | 產(chǎn)品特性 ：BT/黑色，無鹵、極低熱膨脹系數(shù)、高剛性、高耐熱性、高尺寸穩(wěn)定性、高可靠性（高模量保持率、耐熱可靠性） 封裝形式 ：FC封裝； 應(yīng)用領(lǐng)域 ：薄型、大尺寸芯片等 | 300 | 5-8 | 33 | 4.4 | 0.008 | 20~120 | 0.03~1.6 |
| 6 | 封裝基板BT | HI005F | 產(chǎn)品特性 ：BT/黑色，無鹵、優(yōu)異的電性能（低介電常數(shù)及低的介電損耗）、高耐熱性、低熱膨脹系數(shù)、高剛性及優(yōu)異的銅箔結(jié)合力等； 封裝形式 ：CSP、BGA、FC、SiP封裝等； 應(yīng)用領(lǐng)域 ：5G RF、5G AiP、光模塊、DDR等 | 260 | 9-11 | 26 | 3.5 | 0.008 | 20~120 | 0.03~1.6 |
| 7 | 封裝基板BT | HI005F LD | 產(chǎn)品特性 ：BT/自然色，無鹵、優(yōu)異的電性能（低介電常數(shù)及低的介電損耗）、高耐熱性、低熱膨脹系數(shù)、良好的成型性（可適用多層化）等； 封裝形式 ：CSP、BGA、FC、SiP封裝等； 應(yīng)用領(lǐng)域 ：5G RF、5G AiP、光模塊等 | 260 | 9-11 | 25 | 3.4±0.2 | ＜0.004 | 20~120 | 0.03~1.6 |